- SI5938DU-T1-GE3
- 31000
- VISHAY
- 全新环保批次
- 1206-8
- 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售
- 立即询价
- SI5938DU-T1-GE3
- 31000
- VISHAY
- 16+
- 1206-8
- 进口原装现货QQ2607777998
- 立即询价
- SI5938DU-T1-GE3
- 31000
- VISHAY
- 17+
- 1206-8
- 原装现货,欢迎询价
- 立即询价
功能描述:MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:25 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms
配置:Single
最大工作温度:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:Max247
封装:Tube